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DMN2015UFDE
0.020
0.015
V GS = 4.5 V
1.6
1.4
1.2
0.010
0.005
I D = 5A
V GS = 10 V
I D = 10A
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
I D = 1mA
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 7 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
20
16
C iss
1,000
12
T A = 25°C
C oss
8
C rss
4
f = 1MHz
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
10
0
5 10 15
20
10
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
8
V DS = 10V
10
R DS(on)
Limited
P W = 100μs
6
I D = 8.5 A
DC
4
1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
2
0.1 T J(max) = 150°C
T A = 25°C
V GS = 12V
Single Pulse
P W = 1ms
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
DUT on 1 * MRP Board
0.01
0.01 0.1 1 10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate Charge
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
DMN2015UFDE
D atasheet number: DS35560 Rev. 9 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
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